คู่มือ 74hc02 Quad 2-Input หรือ Gate
2024-11-16 717

74HC02 มีค่าในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ดิจิตอลสำหรับความสามารถรอบตัวที่เชื่อถือได้ในฐานะ Quad 2-Input หรือ GATEส่วนนี้นำเสนอลักษณะและแอปพลิเคชันที่ทำให้ 74HC02 มีคุณค่าและจัดเตรียมไว้ให้กับความเข้าใจพื้นฐานและการพิจารณาขั้นสูงในสถานการณ์ที่หลากหลายการอภิปรายขยายไปถึงแนวคิดที่เกี่ยวข้องที่เกี่ยวข้องกับส่วนประกอบเสริม: เซมิคอนดักเตอร์ตัวเก็บประจุตัวต้านทานและวงจรรวม

แคตตาล็อก

การกำหนดค่า PIN 74HC02

การออกแบบ CAD สำหรับ 74HC02

74HC02 การวิเคราะห์ที่ครอบคลุม

ที่ 74HC02 เป็น quad 2-input หรือ gate ic ที่มีไดโอดแคลมป์ในตัวบนอินพุตของมันช่วยให้สามารถเชื่อมต่อกับแรงดันไฟฟ้าด้านบน V_ซีซี เมื่อใช้กับตัวต้านทาน จำกัด ปัจจุบันมันทำงานผ่านช่วงการจัดหา 2V ถึง 6V ทำให้เข้ากันได้กับทั้งระดับตรรกะ TTL และ CMOS74HC02 เหมาะอย่างยิ่งสำหรับแอปพลิเคชันตรรกะดิจิตอลที่ต้องการการดำเนินการที่เชื่อถือได้และเกตการเชื่อมต่อแรงดันไฟฟ้าที่ยืดหยุ่นและประสิทธิภาพที่มีประสิทธิภาพในวงจรพลังงานต่ำ

ลักษณะของ 74hc02

แรงดันไฟฟ้าที่หลากหลาย

74HC02 ทำงานได้อย่างราบรื่นด้วยแรงดันไฟฟ้าจัดหาตั้งแต่ 2.0V ถึง 6.0Vความเข้ากันได้ในวงกว้างนี้ช่วยให้การรวมเข้ากับชุดการออกแบบวงจรที่หลากหลายรองรับอุปกรณ์ที่ทำงานบนแบตเตอรี่พลังงานต่ำรวมถึงระบบอิเล็กทรอนิกส์ที่ซับซ้อนเราพบว่าความยืดหยุ่นนี้มีประโยชน์เมื่อสร้างผลิตภัณฑ์สำหรับสภาพแวดล้อมที่หลากหลาย

การใช้พลังงานที่มีประสิทธิภาพ

ในฐานะที่เป็นอุปกรณ์ CMOS 74HC02 มีคุณสมบัติลดการใช้พลังงานเพิ่มอายุการใช้งานของอุปกรณ์ที่ใช้แบตเตอรี่และลดค่าใช้จ่ายพลังงานในการตั้งค่าที่ใหญ่ขึ้นในแอพพลิเคชั่นมือถือและแบบฝังตัวการขับเคลื่อนไปสู่ส่วนประกอบที่ประหยัดพลังงานจะเห็นได้ชัดมากขึ้นโดยสอดคล้องกับเป้าหมายทางนิเวศวิทยาที่กว้างขึ้นเพื่อลดผลกระทบต่อสิ่งแวดล้อม

ภูมิคุ้มกันที่เหนือกว่า

ความสามารถของ 74HC02 ในการป้องกันการรบกวนทางไฟฟ้าที่ไม่พึงประสงค์ทำให้มั่นใจได้ว่าการทำงานที่สอดคล้องกันแม้ท่ามกลางการรบกวนทางแม่เหล็กไฟฟ้าสูงคุณภาพนี้คือการรักษาความสมบูรณ์ของสัญญาณโดยเฉพาะอย่างยิ่งในสภาพแวดล้อมอุตสาหกรรมหรือแผงวงจรที่บรรจุอย่างหนาแน่นซึ่งการรบกวนเป็นความท้าทายอย่างต่อเนื่อง

การป้องกันที่แข็งแกร่ง

แสดงให้เห็นถึงความสามารถในปัจจุบันของล็อคที่เกิน 100 Ma ตามมาตรฐาน JESD 78, 74HC02 แสดงความทนทานที่ยอดเยี่ยมความสามารถในการต้านทานการล็อคเป็นเครื่องมือในการป้องกันวงจรจากความล้มเหลวที่อาจเกิดขึ้นซึ่งจะช่วยเสริมสร้างความน่าเชื่อถือของระบบโดยรวมคุณลักษณะนี้พิสูจน์ให้เห็นถึงความได้เปรียบในบริบทโดยการลดข้อกำหนดการบำรุงรักษาและขยายอายุการใช้งานของอุปกรณ์

การปฏิบัติตามมาตรฐานระดับตรรกะ

การดำเนินงานที่ระดับ CMOS 74HC02 นั้นตรงกันข้ามกับ 74HCT02 ที่สอดคล้องกับ TTL ซึ่งทั้งคู่เป็นไปตามมาตรฐาน JEDECความแตกต่างนี้ช่วยให้สามารถปรับตัวให้เข้ากับมาตรฐานตรรกะที่หลากหลายซึ่งจะช่วยลดการรวมเข้ากับสถาปัตยกรรมวงจรดิจิตอลที่หลากหลายเราพบว่ามันตรงไปตรงมาเพื่อจัดเรียงส่วนประกอบเหล่านี้กับฮาร์ดแวร์ที่มีอยู่แล้วส่งผลให้เกิดความเข้ากันได้ดีขึ้นและข้อ จำกัด ในการออกแบบน้อยลง

ป้องกันการปล่อยไฟฟ้าสถิต (ESD)

พร้อมกับการป้องกัน ESD ที่ยึดตามมาตรฐาน HBM และ MM 74HC02 ได้รับการปกป้องอย่างดีจากเหตุการณ์การคายประจุแบบคงที่การจัดการและการติดตั้งการป้องกันนี้ขั้นตอนที่ไฟฟ้าคงที่อาจก่อให้เกิดความเสี่ยงร้ายแรงด้วยการปฏิบัติตามแนวทางปฏิบัติที่ดีที่สุดในการจัดการ ESD เราสามารถลดโอกาสของความเสียหายและความล้มเหลวขององค์ประกอบ

บรรจุภัณฑ์ที่ยืดหยุ่นและการทนต่ออุณหภูมิ

ด้วยตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ที่หลากหลาย 74HC02 ตรงตามความต้องการแอปพลิเคชันที่หลากหลายแสดงให้เห็นถึงความสามารถในการปรับตัวในการตั้งค่าทั้งพื้นที่ จำกัด และอุณหภูมิสูงอุณหภูมิในการดำเนินงานมีช่วงตั้งแต่ -40 ° C ถึง +125 ° C ทำให้มั่นใจได้ถึงความน่าเชื่อถือในสภาวะที่รุนแรงตั้งแต่การตั้งค่ากลางแจ้งที่หนาวจัดจนถึงสภาพแวดล้อมอุตสาหกรรมที่ร้อนระอุความสามารถในการปรับตัวนี้มักจะใช้งานได้ซึ่งการรักษาประสิทธิภาพที่สอดคล้องกัน

ข้อกำหนดทางเทคนิค

74HC02 ทำงานอย่างเหมาะสมภายในช่วงแรงดันไฟฟ้าที่ครอบคลุมตั้งแต่ 2V ถึง 6V ซึ่งส่งเสริมการปรับตัวในระบบดิจิตอลจำนวนมากอย่างง่ายดายมันรวมเข้ากับวงจรปัจจุบันเนื่องจากช่วงกว้างนี้ในทำนองเดียวกัน Nexperia USA Inc. 74HC02BQ, 115 นำเสนอสเปกตรัมแรงดันไฟฟ้าที่เทียบเท่าโดยเน้นการบังคับใช้ในวงกว้างในบริบททางเทคโนโลยีที่แตกต่างกันนี่คือข้อกำหนดคุณสมบัติพารามิเตอร์ของ Nexperia USA Inc. 74HC02BQ, 115

พิมพ์	พารามิเตอร์
เวลานำโรงงาน	8 สัปดาห์
ติดต่อชุบ	ทอง
ติดตั้ง	ติดตั้งพื้นผิว
ประเภทการติดตั้ง	ติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ / เคส	14-vfqfn แผ่นสัมผัส
จำนวนพิน	14
ตรรกะระดับสูง	1.5V ~ 4.2V
ตรรกะระดับต่ำ	0.5V ~ 1.8V
อุณหภูมิการทำงาน	-40 ° C ~ 125 ° C
การบรรจุหีบห่อ	เทป & รีล (TR)
ชุด	74HC
ที่ตีพิมพ์	2013
รหัส JESD-609	E4
สถานะชิ้นส่วน	คล่องแคล่ว
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)	1 (ไม่ จำกัด )
จำนวนการยุติ	14
การกระจายพลังงานสูงสุด	500MW
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน	2V ~ 6V
ตำแหน่งเทอร์มินัล	คู่
จำนวนฟังก์ชั่น	4
แรงดันไฟฟ้า	5V
สนามเทอร์มินัล	0.5 มม.
หมายเลขชิ้นส่วนฐาน	74HC02
จำนวนพิน	14
จำนวนเอาต์พุต	1
แรงดันเอาต์พุต	6V
แรงดันไฟฟ้า	5V
จัดหาแรงดันไฟฟ้า-แม็กซ์ (VSUP)	6V
จ่ายแรงดันไฟฟ้า-มิน (VSUP)	2V
การกระจายพลังงาน	500MW
กระแสเอาต์พุต	25ma
ความล่าช้าในการขยายพันธุ์	15 ns
ปัจจุบัน	2μA
เปิดเวลาหน่วง	7 ns
ตระกูล	HC/UH
ฟังก์ชันตรรกะ	ก็ไม่เช่นกัน
จำนวนอินพุต	2
ประเภทตรรกะ	ไม่มีประตู
จำนวนประตู	4
ความล่าช้าในการแพร่กระจายสูงสุด @ v, max cl	15ns @ 6v, 50pf
จำนวนสายอินพุต	8
ความยาว	3 มม.
การชุบแข็งของรังสี	เลขที่
สถานะ ROHS	Rohs3 เป็นไปตามมาตรฐาน
นำฟรี	นำฟรี

ส่วนประกอบที่เปรียบเทียบได้

พารามิเตอร์	74HC02BQ, 115	SN74HC02DBR	74HC02BQ-Q100,115	SN74HC02DE4	SN74HC02NSR
ผู้ผลิต	Nexperia USA Inc.	Texas Instruments	Nexperia USA Inc.	Texas Instruments	Texas Instruments
แพ็คเกจ / เคส	14-vfqfn แผ่นสัมผัส	14-soic (0.209, 5.30 มม.)	14-SSOP (0.209, 5.30 มม.)	14-vfqfn แผ่นสัมผัส	Soic
จำนวนอินพุต	2	2	2	2	-
จำนวนพิน	14	14	14	14	14
ฟังก์ชันตรรกะ	ก็ไม่เช่นกัน	ก็ไม่เช่นกัน	ก็ไม่เช่นกัน	ก็ไม่เช่นกัน	ก็ไม่เช่นกัน
ความล่าช้าในการขยายพันธุ์	15 ns	15 ns	15 ns	15 ns	15 ns
แรงดันไฟฟ้า	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
ปัจจุบัน	2 μA	2 μA	2 μA	2 μA	2 μA
เทคโนโลยี	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS

74HC02 แผนผังการทำงาน

ไดอะแกรมวงจรสำหรับ 74hc02

PDF แผ่นข้อมูล

74HC02BQ, 115 แผ่นข้อมูล

74HC02BQ, 115.PDF
74HC02BQ, 115 รายละเอียด PDF
74HC02BQ, 115 PDF - de.pdf

แผ่นข้อมูล SN74HC02DBR

SN74HC02DBR.pdf
SN74HC02DBR รายละเอียด PDF
SN74HC02DBR PDF - de.pdf

SN74HC02DE4 DATASHEETS

SN74HC02DE4.pdf
SN74HC02DE4 รายละเอียด PDF
SN74HC02DE4 PDF - de.pdf

SN74HC02NSR แผ่นข้อมูล

sn74hc02nsr.pdf
SN74HC02NSR รายละเอียด PDF
SN74HC02NSR PDF - de.pdf